





除了壓電傳感器之外,還有利用壓阻效應制造出來的壓阻傳感器,利用應變效應的應變式傳感器等,這些不同的壓力傳感器利用不同的效應和不同的材料,在不同的場合能夠發揮它們獨特的用途。控制器輸出開關信號控制旁通泄壓閥的接觸器通斷電,通過接觸器控制旁通泄壓閥的啟動和停止。 PG301差壓控制器技術指標:
1、PG301差壓控制器技術指標:
介質:空氣、非燃燒和非腐蝕性氣體
工作溫度:-20 ~ 85℃
*大耐壓:10KPa
過程連接:高壓和低壓孔均為6mm,
P1(+):連接到更高的壓力
P2(-):連接到較低的壓力
重量:有/無蓋:160 g / 115 g
控制器壽命:超過10萬的機械控制器操作
電氣等級:
標準: Max.1.5(0.4A)/ 250VAC 低壓: Max. 0.1A / 24 VDC
切換率: Max.6次/分鐘
電氣連接 AMP浮子插入6.3mm×0.8mm,DIN標準:46244,或者按鍵式螺紋端子。電纜PG-11或者M20×1.5

硅
三、硅-藍寶石 硅-藍寶石材料是通過外延生長技術將硅晶體生長在藍寶石(α-Al2O3)襯底上形成的。硅晶體可以認為是藍寶石的延伸部分,二者構成硅-藍寶石SOS晶片。藍寶石材料為絕緣體,在其上面淀積的每一個電阻,其電性能是完全獨立的。這不僅能消除因PN結泄漏而產生的漂移,還能提供很高的應變效應和高溫(≥300℃)環境下的工作穩定性。藍寶石材料的遲滯和蠕變小到可以忽略不計的程度,因而具有的重復性;藍寶石又是一種惰性材料,化學穩定性好,耐腐蝕,抗輻射能力強;藍寶石的機械強度高。 綜上所述,充分利用硅-藍寶石的特點,可以制作出具有耐高溫、耐腐蝕及抗輻射等優越性能的傳感器和電路;但要獲得精度高、的指標,還必須解決好整體結構中材料之間的熱匹配性,否則難以達到預期的目標。由于硅-藍寶石材料又脆又硬,其硬度僅次于金剛石,制作工藝技術比較復雜。

硅單芯片為襯底的SiC薄膜
五、SiC薄膜材料 SiC是另一種在特殊環境下使用的化合物半導體。它由碳原子和硅原子組成。利用離子注入摻雜技術將碳原子注入單晶硅內,便可獲得的立方體結構的SiC。隨著摻雜濃度的差異得到的晶體結構不同,可表示為β-SiC。β表示不同形態的晶體結構。用離子注入法得到的SiC材料,自身的物理、化學及電學特性優異,表現出高強度、大剛度、內部殘余應力很低、化學惰性極強、較寬的禁帶寬度(近乎硅的1-2倍)及較高的壓阻系數的特性;因此,SiC材料能在高溫下耐腐蝕、抗輻射,并具有穩定的電學性質。非常適合在高溫、惡劣環境下工作的微機電選擇使用。 由于SiC單晶體材料成本高,硬度大及加工難度大,所以硅單晶片為襯底的SiC薄膜就成為研究和使用的理想選擇。通過離子注入,化學氣相淀積(VCD)等技術,將其制在Si襯底上或者絕緣體襯底(SiCOI)上,供設計者選用。例如航空發動機、火箭、及等耐熱腔體及其表面部位的壓力測量,便可選用以絕緣體為襯底的SiC薄膜,作為感壓元件(膜片),并制成高溫壓力微傳感器,實現上述場合的壓力測量。測壓時的工作溫度可達到600℃以上。



